扩Ga基区高反压晶体三级管V—1特性分析
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TN323.8

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国家自然科学基金(69976019资助,山东省自然科学基金(Y99G01)资助


Voltage-current Characteristic Analysis of High-voltage-proof Transistor Based Ga-diffusion
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    从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在SiO_2/Si系统中,开管扩Ga形成的晶体管,具有耐压高、漏电流小的特点。

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引用本文

修显武 孙海波 等. 扩Ga基区高反压晶体三级管V—1特性分析[J]. 科学技术与工程, 2002, (5): 32-35.
XIU Xianwu SUN Haibo PEI Suhua YANG Li ZHOU Zhongping GUO Xinglong. Voltage-current Characteristic Analysis of High-voltage-proof Transistor Based Ga-diffusion[J]. Science Technology and Engineering,2002,(5):32-35.

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